判断题
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单管动态存储电路的读出操作是破坏性读出
判断题单管动态存储电路的读出操作是破坏性读出
SRAM与DRAM相比，前者的外围电路更复杂
判断题SRAM与DRAM相比，前者的外围电路更复杂
掩膜ROM只读存储器的内容是不可以改写的
判断题掩膜ROM只读存储器的内容是不可以改写的
