多项选择题
A.通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度B.熔体稳定C.晶体直径大D.对多晶形状要求低
以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。A.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的B.化学吸附是不可逆的...
多项选择题以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。
A.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的B.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发C.物理吸附的进行吸附是可逆的D.脱咐的进行物理吸附是不可逆的
无坩埚区域提纯（）。A.也可用于晶体生长B.硅也能采用水平区域提纯法C.避免了坩埚的污染D.熔硅不会流动是由于...
多项选择题无坩埚区域提纯（）。
A.也可用于晶体生长B.硅也能采用水平区域提纯法C.避免了坩埚的污染D.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
位错影响说法正确的是（）。A.刃型位错也可能作为一排受主B.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心C.位...
单项选择题位错影响说法正确的是（）。
A.刃型位错也可能作为一排受主 B.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心 C.位错能够改变载流子浓度 D.刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
