拉制电阻率较高硅单晶1～102欧姆•厘米，采用（）作掺杂剂，即就是（）与硅的合金。

拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10-2～10-4欧姆•厘米的P型硅单晶，一般掺...

填空题拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10^-2～10^-4欧姆•厘米的P型硅单晶，一般掺（）。

拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10-2～10-3欧姆•厘米的N型硅单晶，一般掺...

填空题拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10^-2～10^-3欧姆•厘米的N型硅单晶，一般掺（）。

常用作硅单晶的P型掺杂剂的是（）族元素，主要有（）。

填空题常用作硅单晶的P型掺杂剂的是（）族元素，主要有（）。