简答题 对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。

（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体...

问答题（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。

Si和Al原子的相对质量非常接近（分别为28.09和26.98），但是SiO2和Al2O3的密度相差很大，（分...

问答题

Si和Al原子的相对质量非常接近（分别为28.09和26.98），但是SiO2和Al2O3的密度相差很大，（分别为2.65g／cm³，3.96g／cm³  ） 。试计算SiO2和Al2O3的堆积密度，并用晶体结构及鲍林规则说明密度相差大多的原因。

（1）画出O2-作而心立方堆积时，各四面体空隙和八面体空隙的所在位置（以一个晶胞为结构基元表示出来）。 （2）...

问答题

（1）画出O2-作而心立方堆积时，各四面体空隙和八面体空隙的所在位置（以一个晶胞为结构基元表示出来）。
（2）计算四面体空隙数、八而体空隙数与O2-数之比。
（3）根据电价规则，在下面情况下，空隙内各需填入何种价数的阳离子，并对每一种结构举出—个例子。
（a）所有四面体空隙位置均填满；
（b）所有八而体空隙位置均填满；
（c）填满—半四面体空隙位置；
（d）填满—半八面休空隙位置