填空题
控制过冷度，变质处理，振动，搅拌
随着过冷度的增大，晶核形核率N（），长大率G（）。
填空题随着过冷度的增大，晶核形核率N（），长大率G（）。
每个密排六方晶胞在晶核中实际含有（）原子，致密度为（），原子半径为（）。
填空题每个密排六方晶胞在晶核中实际含有（）原子，致密度为（），原子半径为（）。
面缺陷主要指的是（）和（）；最常见的线缺陷有（）和（）。
填空题面缺陷主要指的是（）和（）；最常见的线缺陷有（）和（）。
