单项选择题
A.激励电流 B.磁感应强度 C.霍尔器件宽度 D.霍尔器件长度
磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量()A.位移B.速度C.加速度D.光强
单项选择题磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量()
A.位移 B.速度 C.加速度 D.光强
磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量()。A.位移B.速度C.加速度D.光强
单项选择题磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量()。
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。A.半导体材料的霍尔常数比金...
单项选择题制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。
A.半导体材料的霍尔常数比金属的大 B.半导体中电子迁移率比空穴高 C.半导体材料的电子迁移率比较大 D.N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件