由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电，因此N型衬底将更难发生反型。

​对于P型的MOSFET，其衬底相对于源区应该接低电位。

判断题​对于P型的MOSFET，其衬底相对于源区应该接低电位。

当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。

判断题当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。

​一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零。

判断题​一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零。