问答题
阈值电压Vt是使半导体表面达到强反型所需加的栅极电压。它受衬底掺杂浓度、体效应、半导体材料的费米势等的影响。
已知突变PN结零偏势垒电容为3pF，内建势垒电压为0.5V，计算10V反偏电压时的势垒电容。
问答题已知突变PN结零偏势垒电容为3pF，内建势垒电压为0.5V，计算10V反偏电压时的势垒电容。
与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？
问答题与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？
GaAs HEMT与MESFET的主要区别是什么？
问答题GaAs HEMT与MESFET的主要区别是什么？
