单项选择题
A.施主B.受主C.复合中心D.两性杂质
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是...
单项选择题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。A.大于B.等于C.小于D...
单项选择题如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
A.大于 B.等于 C.小于 D.有效的复合中心
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A、比半导体的大 B、比半导体的小 C、与半导体的...
单项选择题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
