问答题
Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LD......
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什么是Idsat?Idsat 代表什么意义？
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我们一般用哪些参数来评价device的特性？
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MOS器件的主要特性是什幺？
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