单项选择题
A.减少B.不变C.指数增加D.增大
对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。A.强N型半导体B.弱N型半导体C.弱P型半导体D.本...
单项选择题对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。
A.强N型半导体B.弱N型半导体C.弱P型半导体D.本征半导体
B掺杂浓度为6×1016cm-3的Si半导体，再掺入4×415cm-3的P原子后，在禁带EF的位置将（）A....
单项选择题B掺杂浓度为6×1016cm-3的Si半导体，再掺入4×415cm-3的P原子后，在禁带EF的位置将（）
A.更靠近EvB.更靠近EcC.不确定D.位于Ei
对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）A.EcB.位于EF以下，且很接近EF的能级C.EiD...
单项选择题对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）
A.EcB.位于EF以下，且很接近EF的能级C.EiD.位于EF以上，且很接近EF的能级
