​对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）

下面（）过程属于间接复合的微观过程。A.发射电子B.发射激子C.俘获空穴D.声子发射

多项选择题下面（）过程属于间接复合的微观过程。

根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）A.本征半导体B.n型半导体C.p型半导体D.高度补偿半导体

多项选择题根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）

杂质能级的作用包括以下（）A.提供导电载流子B.复合中心C.散射中心D.陷阱

多项选择题杂质能级的作用包括以下（）