Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。

随温度升高，Si的禁带宽度（）。A.增加B.减小C.不清楚D.不变

单项选择题随温度升高，Si的禁带宽度（）。

室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。A.6B.8C.4D.2

单项选择题室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。

室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。A.3B.4C.1D.2

单项选择题室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。