简答题 请画出晶体管的I_D—V_DS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。

为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

问答题什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。