单晶硅生长时，熔体纵向温度梯度较小时，可能会生成（），凝结在（）处，使硅单晶发生（），导致晶体生长不稳定。

生长界面处的（）是晶体、熔体、环境三者的传热、放热、散热综合影响的结果，在一定程度上决定着单晶质量。

填空题生长界面处的（）是晶体、熔体、环境三者的传热、放热、散热综合影响的结果，在一定程度上决定着单晶质量。

最能影响结晶状态是（）的温度梯度，是（）、（）、（）三者的传热、放热、散热综合影响的结果。

填空题最能影响结晶状态是（）的温度梯度，是（）、（）、（）三者的传热、放热、散热综合影响的结果。

单晶硅生长时，热场中存在着固体（晶体）和熔体两种形态，那么温度梯度共有（）种。

填空题单晶硅生长时，热场中存在着固体（晶体）和熔体两种形态，那么温度梯度共有（）种。