单项选择题
A.EcB.位于EF以下，且很接近EF的能级C.EiD.位于EF以上，且很接近EF的能级
对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）A.1/niB.1/△pC.1/p0D...
单项选择题对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）
A.1/niB.1/△pC.1/p0D.1/n0
若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）A.不含任何杂质B.不含受主杂质C.处于绝对零度D.不...
单项选择题若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）
A.不含任何杂质B.不含受主杂质C.处于绝对零度D.不含施主杂质
对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）A.GeB.SiC.SiCD.GaAs
单项选择题对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）
A.GeB.SiC.SiCD.GaAs
