计算题 掺硼1.1×10¹⁶cm^-3和磷9×10¹⁵cm^-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μ_n=1000cm²/v·s，空穴迁移率μ_p=360cm²/v·s，求电阻率。

设电子和空穴的迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺...

问答题设电子和空穴的迁移率分别为1350cm²/V·S和500cm²/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率，并将其与本征硅的电导率进行比较。

室温下锗的本征电阻率为47Ω·cm，如果电子和空穴的迁移率分别为3900cm2/V·S和1900cm2/V·S...

问答题室温下锗的本征电阻率为47Ω·cm，如果电子和空穴的迁移率分别为3900cm²/V·S和1900cm²/V·S，试求本征锗的载流子浓度。

计算施主掺杂浓度ND=9×1015cm-3及受主掺杂浓度NA=1.1×1016cm-3的硅在室温下的电子浓度和...

问答题计算施主掺杂浓度ND=9×10¹⁵cm^-3及受主掺杂浓度NA=1.1×10¹⁶cm^-3的硅在室温下的电子浓度和空穴浓度以及费米能级的位置。