单项选择题
A.材料B.信息C.电子D.能源
生长非常高熔点的氧化物(如:钇铝石榴石)一般用什么方法?()A.温差水热法B.直拉法C.CVD法D.区熔法
单项选择题生长非常高熔点的氧化物(如:钇铝石榴石)一般用什么方法?()
A.温差水热法B.直拉法C.CVD法D.区熔法
目前生长半导体单晶最常见的方法是()A.直拉法B.CVD法C.布里兹曼法D.液相外延法
单项选择题目前生长半导体单晶最常见的方法是()
A.直拉法B.CVD法C.布里兹曼法D.液相外延法
以下熔体生长法生长晶体描述正确的是()A.材料必须在熔化过程中成分不变B.材料在是温和熔点之间能够发生相变C...
单项选择题以下熔体生长法生长晶体描述正确的是()
A.材料必须在熔化过程中成分不变B.材料在是温和熔点之间能够发生相变C.二氧化硅可以用于熔体生长法D.材料在熔化前能够分解