案例分析题

某一维晶体的电子能带为

求能带宽度

简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

问答题简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

试指出空穴的主要特征。

问答题试指出空穴的主要特征。

试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

问答题试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。