单项选择题
A.UGS＞UGS，offB.UGS＞UGS，thC.UGS＜UGS，offD.UGS＜UGS，th
掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，...
单项选择题掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使（）激增。
A.多子B.反向电流C.载流子D.反向电压
当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，...
单项选择题当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，属于（）击穿。
A.多子B.热击穿C.齐纳D.雪崩
差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是（）。A.提高输入电阻B.提高共模抑制比C.提高差模电压增益D.提高...
单项选择题差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是（）。
A.提高输入电阻B.提高共模抑制比C.提高差模电压增益D.提高共模电压增益
