一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的

P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的A.正，正B.正...

单项选择题P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的

不影响MOS管阈值电压的参数有（）A.栅氧厚度B.衬底浓度C.源漏区的长度D.有效表面态电荷

单项选择题不影响MOS管阈值电压的参数有（）

关于双极型晶体管（BJT）的基区，基区宽度越（），载流子传输过程中的损失越小，基区浓度越（），载流子传输过程中...

单项选择题关于双极型晶体管（BJT）的基区，基区宽度越（），载流子传输过程中的损失越小，基区浓度越（），载流子传输过程中的损失越大