单项选择题
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）A.施主B.受主C.复合中心D.陷阱E.两性杂质
单项选择题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）
A.施主 B.受主 C.复合中心 D.陷阱 E.两性杂质
MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）A.电子；B.空穴；C.钠离子；D.硅离子。
单项选择题MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）
A.电子； B.空穴； C.钠离子； D.硅离子。
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，...
单项选择题在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
A.少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态B.多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态C.多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态D.少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态
