单项选择题
A.绝缘性能号 B.性能稳定 C.压电系数高 D.机械强度高
在光线作用下，半导体电阻率增加的现象属于（）。A.光电导效应B.光生伏特效应C.外光电效应D.压电效应
单项选择题在光线作用下，半导体电阻率增加的现象属于（）。
A.光电导效应 B.光生伏特效应 C.外光电效应 D.压电效应
对金属应变片式传感器，基本描述为Kε等于（）。A.ΔRB.R2C.RD.ΔR/R
单项选择题对金属应变片式传感器，基本描述为Kε等于（）。
A.ΔR B.R2 C.R D.ΔR/R
下列应变片的温度补偿方法的是（）。A.串并联电阻法B.单丝自补偿法C.双丝组合式自补偿法D.电路补偿法
单项选择题下列应变片的温度补偿方法的是（）。
A.串并联电阻法 B.单丝自补偿法 C.双丝组合式自补偿法 D.电路补偿法
