多项选择题
A.杂质半导体中杂质浓度大于本征载流子浓度B.杂质能级上可以容纳两个自旋相反的电子C.杂质能级上电子的占据几率可以用标准的费米分布函数来描述D.n型半导体中的载流子浓度等于杂质能级上电子的浓度
半导体中的电中性条件是（）。A.B.C.D.
单项选择题半导体中的电中性条件是（）。
A.B.C.D.
如果要提高半导体器件的工作温度，可以对制作器件的半导体材料做如下处理（）。A.增加掺杂浓度B.降低掺杂浓度C....
多项选择题如果要提高半导体器件的工作温度，可以对制作器件的半导体材料做如下处理（）。
A.增加掺杂浓度B.降低掺杂浓度C.采用禁带宽度大的半导体材料D.采用禁带宽度小的半导体材料
下面关于本征半导体的叙述有误的一项是（）。A.本征半导体中电子浓度与空穴浓度相等B.本征半导体中费米能级均处于...
单项选择题下面关于本征半导体的叙述有误的一项是（）。
A.本征半导体中电子浓度与空穴浓度相等B.本征半导体中费米能级均处于禁带中线附近C.本征半导体中杂质电离对载流子浓度的影响几乎可以忽略D.在温度较高进入本征激发区后，半导体材料可以看作本征半导体
