在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。

‍下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅B.含硼2×...

单项选择题‍下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。

‍对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm2/s，则空穴迁移率大约为（）cm2/V...

单项选择题‍对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm²/s，则空穴迁移率大约为（）cm²/V·s。

‏室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3，掺杂浓度为ND=1015cm-3，电子和空穴的迁移率分...

单项选择题‏室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×10⁶cm^-3，掺杂浓度为N_D=10¹⁵cm^-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm²/V·s和400cm²/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为（）A/cm²。