计算题 假设有一种半导体材料，晶格常数a=0.5555nm，如果以Si_1-xGe_x固溶体为衬底，请Si_1-xGe_x的最佳组分是多少？Si晶格常数0.5431nm；Ge晶格常数0.5658nm？

从四元固溶体的带隙与晶格常数图，说明与GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围是多...

问答题

从四元固溶体的带隙与晶格常数图，说明与GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围是多少？

四元固溶体半导体与三元固溶体半导体相比的优势是什么？

问答题四元固溶体半导体与三元固溶体半导体相比的优势是什么？

简述在生长III-V族化合物时指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生长机理。

问答题简述在生长III-V族化合物时指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生长机理。