填空题
特殊工艺制造的面接触型硅;很大;电压;反向电击穿
二极管导通时,其正向电压应该比门坎电压()(高/低),硅管的正向导通电压约为()V,锗管的正向导通电压约为()...
填空题二极管导通时,其正向电压应该比门坎电压()(高/低),硅管的正向导通电压约为()V,锗管的正向导通电压约为()V。
半导体PN结中内电场E,是由()产生的,当将()电压加在PN结两端时,其PN结内电场E增强。PN结()导通。
填空题半导体PN结中内电场E,是由()产生的,当将()电压加在PN结两端时,其PN结内电场E增强。PN结()导通。
当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流IS将增大,这是因为此时PN结内部的()。A.多数载流子浓度增大B.少数...
单项选择题当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流IS将增大,这是因为此时PN结内部的()。
A.多数载流子浓度增大 B.少数载流子浓度增大 C.多数载流子浓度减小 D.少数载流子浓度减小