‍MOS管中，导电沟道的有效长度会随着所加的V_DS调制：增加V_DS将使漏结的耗尽区加大，从而增加了有效沟道的长度。

闩锁效应中，寄生的两个双极型管中的一个变为正向偏置时，它提供了另一个双极型管的基极电流。这一负反馈使电流增加直...

判断题闩锁效应中，寄生的两个双极型管中的一个变为正向偏置时，它提供了另一个双极型管的基极电流。这一负反馈使电流增加直至该电路失效或烧坏。

静态功耗是由在电源和地之间的静态导电通路或由于漏电流引起的，所以静态功耗只在电路导通的时候存在。

判断题静态功耗是由在电源和地之间的静态导电通路或由于漏电流引起的，所以静态功耗只在电路导通的时候存在。

如图所示，为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感，应当使“0”和“1”的区间越大越好，一个门的低电平噪声...

判断题

如图所示，为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感，应当使“0”和“1”的区间越大越好，一个门的低电平噪声容限NM_L=V_IL-V_OL，高电平噪声容限NM_H=V_OH-V_IH。