新投运的GIS，除开关室以外的其它气室的微水含量不得大于（）。

中性点经消弧线圈接地的系统发生单相接地故障时，中性点对地为（）。A.零B.相电压C.线电压D.直流电压

单项选择题中性点经消弧线圈接地的系统发生单相接地故障时，中性点对地为（）。

半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A.集中结B.集成结...

单项选择题半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。

断路器和GIS使用的吸附剂通常为4A分子筛，再生处理时，应将吸附剂置于真空干燥炉内，并在200—300℃条件下...

单项选择题断路器和GIS使用的吸附剂通常为4A分子筛，再生处理时，应将吸附剂置于真空干燥炉内，并在200—300℃条件下干燥（）小时以上。