CVD TiN的工艺温度不能超过350C。

窄线效应：Gate line width小于1um，Ti salicide的薄膜电阻明显上升。

判断题窄线效应：Gate line width小于1um，Ti salicide的薄膜电阻明显上升。

MRC是一种溅射工艺机台。

判断题MRC是一种溅射工艺机台。

溅射法可以保持复杂合金原组分。

判断题溅射法可以保持复杂合金原组分。