THDS-C探测站的加热控制板加的加热保护温度为+120℃±5℃。

THDS-C探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。

判断题THDS-C探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。

（哈科）THDS-C系统设备应设防雷保护设施，设备地小于等于4欧姆。

判断题（哈科）THDS-C系统设备应设防雷保护设施，设备地小于等于4欧姆。

THDS-C探测站中光子探头的元件温度是由控制箱内的制冷控制板控制的。

判断题THDS-C探测站中光子探头的元件温度是由控制箱内的制冷控制板控制的。