单项选择题
A.恒流区（饱和区、放大工作区）B.可变电阻区C.截止区D.预夹断临界点
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型...
单项选择题测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）
A.恒流区（饱和区、放大工作区）B.预夹断临界点C.截止区D.可变电阻区
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MO...
单项选择题测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域？（）
A.可变电阻区B.截止区C.预夹断临界点D.恒流区（饱和区、放大工作区）
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管...
单项选择题测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）
A.截止区B.预夹断临界点C.饱和区（恒流区、放大工作区）D.可变电阻区
