集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）

硅氧四面体由（）组成。A.四个氧和一个硅B.两个氧和两个硅C.四个硅和一个氧D.三个氧和一个硅

单项选择题硅氧四面体由（）组成。

超高真空的简称是（）A.SHVB.HHVC.UHVD.HLV

单项选择题超高真空的简称是（）

SOS是在（）衬底上外延单晶硅。A.蓝宝石B.多晶硅C.单晶硅D.钻石

单项选择题SOS是在（）衬底上外延单晶硅。