单项选择题
A、正离子 B、负离子 C、电子 D、自由电子和空穴
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7，0.3B、0.3，0.7C、0.5，0.2D、0.2，0.5
单项选择题硅管与锗管的死区电压分别为（）。
A、0.7，0.3 B、0.3，0.7 C、0.5，0.2 D、0.2，0.5
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
单项选择题N型半导体中的自由电子是（）形成的。
A、掺杂 B、能量击发 C、掺杂与能量击发
交流放大电路中的能量来源于（）。A、输入信号B、输出信号C、三极管的放大作用D、集电极电源
单项选择题交流放大电路中的能量来源于（）。
A、输入信号 B、输出信号 C、三极管的放大作用 D、集电极电源
