多项选择题
A.半导体费米能级进入导带或价带中B.引起半导体杂质原子的电子共有化运动C.半导体载流子统计分布需要用费米分布函数来描述D.半导体中载流子的浓度随掺杂浓度的增加而线性增加
关于离子注入掺杂，说法正确的有（）A.离子注入对半导体晶格没有损伤B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度C....
多项选择题关于离子注入掺杂，说法正确的有（）
A.离子注入对半导体晶格没有损伤B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
关于半导体空穴，描述正确的有（）A.空穴带有正电荷，且具有正的有效质量B.空穴是为了处理半导体导带的导电问题而...
多项选择题关于半导体空穴，描述正确的有（）
A.空穴带有正电荷，且具有正的有效质量B.空穴是为了处理半导体导带的导电问题而人为引入的物理量C.空穴运动的本质是价带中电子的运动D.p型掺杂将在半导体中引入更多的空穴
关于半导体硅晶体结构的描述，正确的有（）A.半导体硅具有金刚石型结构B.每个硅晶胞中包含8个硅原子C.硅晶胞中...
多项选择题关于半导体硅晶体结构的描述，正确的有（）
A.半导体硅具有金刚石型结构B.每个硅晶胞中包含8个硅原子C.硅晶胞中的所有硅原子都是等价的D.位于硅晶胞8个顶角的硅原子与晶胞6个面心的硅原子等价
