单项选择题
A.20～30℃ B.30～35℃ C.35～40℃ D.40～45℃ E.45～49℃
金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚（）A.0.05～0.1μmB.0.1～0.2μmC.0.2～2...
单项选择题金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚（）
A.0.05～0.1μm B.0.1～0.2μm C.0.2～2μm D.2～2.5μm E.2.5～3μm
金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）A.1～2分钟B.3...
单项选择题金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）
A.1～2分钟 B.3～5分钟 C.5～10分钟 D.10～12分钟 E.12～15分钟
金属基底冠桥粗化处理时，用何种氧化铝砂喷砂处理（）A.15～25μmB.25～35μmC.35～50μmD.5...
单项选择题金属基底冠桥粗化处理时，用何种氧化铝砂喷砂处理（）
A.15～25μm B.25～35μm C.35～50μm D.50～100μm E.100～120μm
