当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度E_g时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN 结的（）中。

外加正向偏压为V时，势垒区中EFn比EFp（）。A.高qVB.低qVC.高q（Vbi-V）D.低q（Vbi-V...

单项选择题外加正向偏压为V时，势垒区中E_Fn比E_Fp（）。

当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。A.AB.BC.CD.D

单项选择题

当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。

反向偏置情况下，除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外，还有（）。A.势垒区的产生电流B.势垒区的复合电流...

单项选择题反向偏置情况下，除空穴扩散电流J_dp和电子扩散电流J_dn外，还有（）。