填空题
生长界面的推进速度（生长速度）；熔体的搅拌
当杂质的K0大于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶头部聚集。
填空题当杂质的K0大于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶头部聚集。
当杂质的K0小于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶尾部聚集。
填空题当杂质的K0小于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶尾部聚集。
我们称二元系统固液两相平衡时，（）和（）的比为平衡分凝系数。
填空题我们称二元系统固液两相平衡时，（）和（）的比为平衡分凝系数。
