多项选择题
A、易于进行腐蚀加工B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料D、易于进行n型和p型掺杂
下列关于PN结的单向导电性，正确的是：（）。A、PN结的P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为PN结接正向电...
多项选择题下列关于PN结的单向导电性，正确的是：（）。
A、PN结的P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为PN结接正向电压或正偏B、PN结的P区接电源的负极，N区接电源的正式极，称为PN结接反向电压或反偏C、PN结正偏时，正向电流大，直流等效电阻小，交流等效电阻也小D、PN结反偏时，反向电流小，直流等效电阻大，交流等效电阻也大
下列关于杂质半导体，说法正确的是：()。A、P型半导体的多子是空穴，N型半导体的少子也是空穴B、P型半导体带正...
多项选择题下列关于杂质半导体，说法正确的是：()。
A、P型半导体的多子是空穴，N型半导体的少子也是空穴B、P型半导体带正电荷，N型半导体带负电荷C、P型半导体的受主负离子和N型半导体的施主正离子均为载流子D、N型半导体的多子是自由电子，P型半导体的少子也是自由电子
在杂质半导体中，温度变化时，（）。A、载流子的数目不变化B、少子与多子变化的数目不相同C、少子与多子浓度的变化...
单项选择题在杂质半导体中，温度变化时，（）。
A、载流子的数目不变化B、少子与多子变化的数目不相同C、少子与多子浓度的变化相同D、多子浓度受温度的影响小，少子浓度受温度的影响大
