MCT是采用集成电路工艺制成的。

功率MOSFET是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的大小，从而控制漏极电流的大小。

判断题功率MOSFET是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的大小，从而控制漏极电流的大小。

当晶闸管加反向阳极电压时，晶闸管不会导通。

判断题当晶闸管加反向阳极电压时，晶闸管不会导通。

晶体管的特性是在低发射极电流下电流放大系数α很大，而当发射极电流建立起来之后，α迅速减小。

判断题晶体管的特性是在低发射极电流下电流放大系数α很大，而当发射极电流建立起来之后，α迅速减小。