单项选择题
A.碲化镉薄膜太阳电池 B.非晶硅太阳电池 C.多晶硅太阳电池
直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是()A.利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒B.每一炉需要消耗一支坩埚C....
单项选择题直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是()
A.利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒 B.每一炉需要消耗一支坩埚 C.有种晶、引细颈、放肩过程
直拉单晶硅的制备工艺的主要特点是()A.利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒B.每一炉需要消耗一支坩埚C.有...
单项选择题直拉单晶硅的制备工艺的主要特点是()
区熔单晶硅的主要特点是()A.利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒B.每一炉需要消耗一支坩埚C.有种晶、引细...
单项选择题区熔单晶硅的主要特点是()