单项选择题
A.升高;升高B.升高;降低C.降低;升高D.降低;降低
下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是()A.当源与体之间存在衬底偏置电压时,将会使n沟MOS管的阈值电...
单项选择题下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是()
A.当源与体之间存在衬底偏置电压时,将会使n沟MOS管的阈值电压增大B.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值,对于PMOS器件是一个负值C.随着栅电压的不断提高,耗尽区宽度将逐渐增大
二极管在正向偏置条件下,势垒(),耗尽区的宽度()。A.降低;变窄B.降低;变宽C.升高;变窄D.升高;变宽
单项选择题二极管在正向偏置条件下,势垒(),耗尽区的宽度()。
A.降低;变窄B.降低;变宽C.升高;变窄D.升高;变宽
下面二极管静态特性描述中不正确的是()A.反偏置状态下,二极管的工作就像一个不导通或阻断的器件B.在PN结上加...
单项选择题下面二极管静态特性描述中不正确的是()
A.反偏置状态下,二极管的工作就像一个不导通或阻断的器件B.在PN结上加上反向偏压,使p区的电势相对于n区降低,其结果是使扩散电流减小,漂移电流成为主导,于是电流从n区流向p区C.二极管电流最重要的特性是它与所加偏置电压之间存在线性关系D.在实际器件中,二极管的反向电流大于反向饱和电流,这是在耗尽区因热而产生电子空穴对造成的