问答题
通过NMOS场区的硼注入及场区选择氧化，增加场区的表面掺杂浓度及场区氧化层厚度，从而提高寄生NMOS管的阈值电压，使该阈......
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简述倒掺杂阱技术的步骤。
问答题简述倒掺杂阱技术的步骤。
简述先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术工艺步骤。
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简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。
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