单项选择题
A.正半周B.负半周C.一次侧绕组D.二次侧绕组
晶闸管交流侧过电压保护常用措施有()。A.并联阻容吸收电路B.利用阀型避雷器C.具有稳压特性的非线性电阻器D....
单项选择题晶闸管交流侧过电压保护常用措施有()。
A.并联阻容吸收电路B.利用阀型避雷器C.具有稳压特性的非线性电阻器D.以上都是
电力场效应管(MOSFET)主要采用何种结构形式?()A.P 沟道耗尽型B.P 沟道增强型C.N 沟道耗尽型D...
单项选择题电力场效应管(MOSFET)主要采用何种结构形式?()
A.P 沟道耗尽型B.P 沟道增强型C.N 沟道耗尽型D.N 沟道增强型
以下不是电力电子应用技术发展方向的是()。A.集成化B.高效化C.低压化D.智能化
单项选择题以下不是电力电子应用技术发展方向的是()。
A.集成化B.高效化C.低压化D.智能化