单项选择题
A.不 B.电 C.紫外线 D.融断器
用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。A.位B.字C.复合D.位或字
单项选择题用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。
A.位 B.字 C.复合 D.位或字
小容量RAM内部存储矩阵的字数与外部地址线数n的关系一般为（）A.2nB.22nC.＞22nD.＜2n
单项选择题小容量RAM内部存储矩阵的字数与外部地址线数n的关系一般为（）
A.2n B.22n C.＞22n D.＜2n
如要将一个最大幅度为5.1V的模拟信号转换为数字信号，要求输入每变化20mV，输出信号的最低位（LSB）发生变...
单项选择题如要将一个最大幅度为5.1V的模拟信号转换为数字信号，要求输入每变化20mV，输出信号的最低位（LSB）发生变化，应选用（）位ADC。
A.6 B.8 C.10 D.12
