多项选择题
A.破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）B.将晶圆倾斜一定的角度C.表面铺一层非结晶材质SiO2D.进行快速热退火
离子注入过程中，常用的退火方法有（）A.高温退火B.快速热退火C.氧化退火D.电阻丝退火
多项选择题离子注入过程中，常用的退火方法有（）
A.高温退火B.快速热退火C.氧化退火D.电阻丝退火
属于氧化层表面缺陷的是（）A.白雾B.针孔C.斑点D.层错
多项选择题属于氧化层表面缺陷的是（）
A.白雾B.针孔C.斑点D.层错
为减少自掺杂现象，可以采取的措施有（）A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低...
多项选择题为减少自掺杂现象，可以采取的措施有（）
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低外延生长温度
