为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。

‎在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。A.正偏和正偏B.零偏和反偏C.反偏和反偏D.正...

单项选择题‎在测量I_CBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。

在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。A.AB.BC.CD.D

单项选择题

在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

双极晶体管效应是通过改变（）。A.正偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流B.正偏PN结的偏压来控制其附近反偏...

单项选择题双极晶体管效应是通过改变（）。