单项选择题
A.若电子在能带底部，则其大于0B.必须而且只能取正值C.是物质的一个标量D.其值越大，则其所受万有引力越大
以下哪种带隙材料最有希望是半导体材料？（）A.小于0eVB.大于3eVC.0～0.1eVD.0.1～2.5eV
单项选择题以下哪种带隙材料最有希望是半导体材料？（）
A.小于0eVB.大于3eVC.0～0.1eVD.0.1～2.5eV
电子公有化运动使得原子能级分裂，形成（）。A.能带B.杂质能级C.费米能量D.施主能级
单项选择题电子公有化运动使得原子能级分裂，形成（）。
A.能带B.杂质能级C.费米能量D.施主能级
单晶硅的晶体结构是（）。A.与NaCl结构相同B.金刚石结构C.CuO结构D.体心立方结构
单项选择题单晶硅的晶体结构是（）。
A.与NaCl结构相同B.金刚石结构C.CuO结构D.体心立方结构
