填空题
动态
在分析大扇入逻辑门时,内部节点电容变得十分显著从而不能忽略,对于下图所示的四输入NAND门及其RC模型,所有的...
单项选择题
在分析大扇入逻辑门时,内部节点电容变得十分显著从而不能忽略,对于下图所示的四输入NAND门及其RC模型,所有的NMOS尺寸相同,它们的等效电阻都为RN,所有的PMOS尺寸相同,它们的等效电阻都为RP,则其传播延时可以表示为()。
A.tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+4CL)B.tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+CL)C.tpHL=0.69RN(C1+C2+C3+CL)D.tpHL=0.69RP(C1+C2+C3+CL)
为了使两输入NAND门的下拉延时与最小尺寸的反相器相同,在PDN串联网络中的NMOS器件必须设计为反相器中的N...
单项选择题为了使两输入NAND门的下拉延时与最小尺寸的反相器相同,在PDN串联网络中的NMOS器件必须设计为反相器中的NMOS宽度的(),以使NAND下拉网络的等效电阻与反相器的相同。
A.二分之一B.两倍C.一倍D.四倍
如图所示的互补CMOS门中,M1与M2管为相同尺寸与同一工艺条件制造的NMOS晶体管,则M1管的阈值电压Vt...
如图所示的互补CMOS门中,M1与M2管为相同尺寸与同一工艺条件制造的NMOS晶体管,则M1管的阈值电压Vth1与M2管的电压Vth2的关系是()。
A.Vth1>Vth2B.Vth1< Vth2C.不确定D.Vth1=Vth2