单项选择题
A.1/4 B.1/e C.1/e2 D.1/2
同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢...
单项选择题同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）A.施主B.受主C.复合中心D.陷阱E.两性杂质
单项选择题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）
A.施主 B.受主 C.复合中心 D.陷阱 E.两性杂质
MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）A.电子；B.空穴；C.钠离子；D.硅离子。
单项选择题MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）
A.电子； B.空穴； C.钠离子； D.硅离子。
